高通面向笔记本电脑市场推出的首批 3nm 平台 Snapdragon X2 Elite 系列中，旗舰款 X2 Elite Extreme 被曝并未采用常见的 N3E 或 N3P 制程，而是转向以极限性能为目标的台积电 3nm N3X 工艺，希望在高电压与高频率下榨干单核与多核表现，以支撑其最高可达 5.00GHz、最多 18 核的配置。
来自 Moor Insights & Strategy 的技术拆解显示，Snapdragon X2 Elite Extreme 采用类似苹果“统一内存”的 SiP 封装方案，把 RAM、存储等多种元件与 SoC 封装在同一模块中，通过 192 位内存总线、128GB 内存上限以及最高 9523 MT/s 的内存频率，将带宽拉高至 228GB/s，这一数字虽超过苹果 M5，但仍低于 M4 Pro 约 273GB/s 的水平。 整颗芯片集成晶体管数量约 310 亿
高通将 X2 Elite Extreme 设计在超过 1.0V 的工作电压上运行，以换取更高的频率空间。
在实际功耗设定上，这颗芯片在解锁功耗限制时可冲破 100W 阈值，在部分散热条件较好的笔电机身中则可长时间维持 40W 级别，以支撑高负载下的持续性能输出。
然而，目前公开的 Cinebench 2024 单核与多核测试结果显示，在同等条件下，X2 Elite Extreme 仍落后于苹果 M4 Max；
在 GPU 端，面对 M4 Pro 在 3DMark Steel Nomad Light Unlimited、3DMark Solar Bay Unlimited 等合成基准中最高可达约 45% 的领先优势
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